Einschreibeoptionen
Дисциплина: Б1.В.12 Физические основы микротехнологий
Ступень: Бакалавр (ФГОС3+)
Факультет: Физический факультет
Направление: 03.03.02 Физика
Профиль: Физика твердого тела (ФГОС3+)
Форма обучения: Очная
Кафедра: Кафедра физики твердого тела и наноструктур
Текущая аттестация (1 ч.)
Лекционный курс (12 ч.)
Лабораторные занятия (24 ч.)
Самостоятельная работа (36 ч.)
Зачет
Ступень: Бакалавр (ФГОС3+)
Факультет: Физический факультет
Направление: 03.03.02 Физика
Профиль: Физика твердого тела (ФГОС3+)
Форма обучения: Очная
Кафедра: Кафедра физики твердого тела и наноструктур
Год учебного плана: 2019-2020
Разработал: Доктор физико-математических наук, доцент Турищев С.Ю.
Текущая аттестация (1 ч.)
Лекционный курс (12 ч.)
Лабораторные занятия (24 ч.)
Самостоятельная работа (36 ч.)
Зачет
Целями освоения дисциплины являются:
- ознакомление с основными идеями и техническими решениями, используемыми в современной микроэлектронике с переходом в наноэлектронику;
- формирование знаний в области теоретических и технологических принципов микроэлектроники (с переходом в наноэлектронику), лежащих в основе построения современных информационных систем;
- овладение навыками в оценке современных технологических методов и возможностей их использовании в микроэлектронике с переходом в наноэлектронику.
Основные разделы:
1. Общие вопросы формирования микро- и наноструктур.
Общие вопросы формирования микро- и наноструктур. Физические и технологические ограничения использования пучков частиц при формировании микро- и наноструктур.
2. Источники частиц при процессах микро- и нанотехнологий.
Источники фотонов. Лампы, лазеры, рентгеновская трубка, синхротрон.
Источники электронов, фокусировка электронных пучков, способы фокусировки и управление, электронно лучевые установки, особенности и ограничения при использовании.
Источники ионов. Пробег ионов и его зависимость от энергии иона.
3. Процессы миро- и нанотехнологий.
Источники электронов, фокусировка электронных пучков, способы фокусировки и управление, электронно лучевые установки, особенности и ограничения при использовании.
Источники ионов. Пробег ионов и его зависимость от энергии иона.
3. Процессы миро- и нанотехнологий.
Фотохимические процессы. Негативные и позитивные фоторезисты. Формирование изображения. Рентгенолитография. Электроннолитография, радиационные и тепловые процессы при воздействии электронного пучка. Методы совмещения при литографии.
Ионная имплантация. Ионнолегирующие установки Радиационный отжиг без перераспределения и с перераспределением примесей, термический, быстрый термический и импульснофотоные отжиги.
Формирование скрытых слоев внутри подложки, квантовых ям, квантовых проволок и квантовых точек. Использование процессов самоорганизации при формировании квантово размерных структур.
Ионная имплантация. Ионнолегирующие установки Радиационный отжиг без перераспределения и с перераспределением примесей, термический, быстрый термический и импульснофотоные отжиги.
Формирование скрытых слоев внутри подложки, квантовых ям, квантовых проволок и квантовых точек. Использование процессов самоорганизации при формировании квантово размерных структур.
- Преподаватель: Турищев Сергей Юрьевич
Melden Sie sich für den Zugriff auf diesen Kurs an.